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실리콘 양자점 초격자 박막의 두께에 따른 구조적, 광학적 특성 분석
Structural, Optical properties of layer thickness dependence for silicon quantum dots in SiC matrix superlattice 원문보기

한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집, 2009 Nov. 25, 2009년, pp.398 - 398  

김현종 (충남대학교) ,  문지현 (충남대학교) ,  박상현 (충남대학교) ,  조준식 (충남대학교) ,  윤경훈 (충남대학교) ,  송진수 (충남대학교) ,  오병성 (충남대학교) ,  이정철 (한국에너지기술연구원)

초록
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텐덤 구조의 양자점 태양전지에서 양자점의 크기에 따라 에너지 밴드갭이 달라 넓은 대역의 태양광을 이용할 수 있다. 이러한 양자점의 크기는 증착 두께의 제어로 조절이 가능하다. Si과 C target을 이용한 RF Co-sputtering 법으로 각각 증착시간을 다르게 하여, SiC/$Si_{1-x}C_x$(x~0.20)인 실리콘 양자점 초격자 박막을 제조하고, $1000^{\circ}C$에서 20분간 질소 분위기에서 열처리를 하였다. Grazing incident X-ray diffraction(GIXRD)를 통해서 Si(111)과 $\beta$-SiC (111)이 생성되었음을 확인하였고, High resolution transmission electron microscopy(HRTEM) 사진으로 양자점의 크기와 분포 밀도를 확인할 수 있었다. Photoluminescence(PL)에서 1.4, 1.5, 1.7, 1.9eV의 Peak이 확인되었다.

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