최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Device Research Conference, 2009. DRC 2009, 2009 June, 2009년, pp.23 - 24
Moselund, K.E. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Ghoneim, H. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Bjork, M.T. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Schmid, H. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Karg, S. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Lortscher, E. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Riess, W. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland) , Riel, H. (IBM Res. GmbH, Zurich Res. Lab., Ruschlikon, Switzerland)
In the present work we demonstrate the successful implementation of tunneling field-effect transistors (TFETs) based on silicon nanowires (Si NWs) that were grown using the vapor-liquid-solid (VLS) growth method. Device optimization resulted in increased band-to-band tunneling with an on-current of ...
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.