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산화아연 나노구조를 이용한 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 센서 제작
Fabrication of a influenza A H1N1 sensor using ZnO nanostructure 원문보기

대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회, 2011 July 20, 2011년, pp.1690 - 1691  

장윤석 (고려대학교 전기전자전파공학과) ,  박정일 (고려대학교 전기전자전파공학과) ,  남윤경 (고려대학교 전기전자전파공학과) ,  박정호 (고려대학교 전기전자전파공학과)

초록
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본 논문에서는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스(influenza A H1N1 virus) 검출을 위한 산화아연 나노구조(zinc oxide nano structure) 기반의 전기화학적 면역센서를 제작하고 그 특성을 분석하였다. H1N1 인플루엔자 A 바이러스는 빠른 전파 속도 때문에 정확하고 빠른 검출이 필요하다. 먼저, 2 $mm^2$의 표면적을 갖는 패턴된 금 전극 위에 열수방식(hydrothermal method)으로 성장시킨 산화아연 나노구조가 선택적으로 형성되도록 리프트-오프(lift-off) 방법을 사용하였다. 0.01 M phosphate buffered saline(pH 7.4)에서 2 ${\mu}g$/mL 농도의 1차 항체를 정전기력에 의해 산화아연 나노구조에 고정화한 후, 10 pg/mL ~ 5ng/mL 농도의 H1N1 항원을 적용하여 포획 항체에 결합시키고 HRP(horseradish peroxidase) 효소가 결합된 검출 항체를 항원에 결합시키는 샌드위치 ELISA법을 이용하였다. HRP와 반응하는 TMB(3,3', 5,5'-tetramethylbenzidine)와 과산화수소가 포함된 acetate buffered 용액(pH 5)을 전해질로 사용하고 순환전압전류 측정법(cyclic voltammetry)으로 센서의 특성을 분석하였다. 측정된 순환전압전류그래프(cyclic voltammogram)에서 H1N1 항원 농도 10 pg/mL ~ 5 ng/mL의 응답 전류는 276.47 ${\pm}$ 21.72 nA (평균 ${\pm}$ 표준편차, n=4) ~ 478.89 ${\pm}$ 6.21 nA로 측정되었고, logarithmic하게 증가하는 응답 전류 특성을 보였다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출을 위해 열수방식과 리프트-오프 방법을 이용하여 금 전극 위에 산화아연 나노구조 기반의 전기화학적 면역센서를 제작 및 특성평가를 하였다. H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서 제작을 위해 포획항체-H1N1 항원-검출항체-HRP 효소 결합체 형태인 샌드위치 ELISA법을 이용하였고, 순환전압전류법으로 전기화학적 면역센서의 특성을 평가하였다.
  • 본 논문에서는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출을 위한 면역센서의 전극을 구현하기 위해 열수방식과 리프트-오프(lift-off) 방법으로 산화아연 나노구조를 전극 위에 패턴하였고 미량의 항체 및 항원을 사용하여 산화아연 나노구조 기반의 전기화학적 면역센서를 제작하였다. 그리고 제작된 면역센서는 전기화학적 측정법인 순환전압전류법(cyclic voltammetry)으로 면역센서의 특성을 분석하였다.
  • 1 M acetate buffer 용액(pH 5)을 사용하였고, 작업전극으로는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서, 기준전극으로 Ag/AgCl 전극, 상대전극으로 백금선을 사용하였다. 전기화학적 측정 시스템인 potentiostat(PC4/750, Gamry Instruments, USA)에서 순환전압전류법(cyclic voltammetry)을 이용하여 제작된 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서의 항원의 농도에 따른 응답 전류를 측정하였고, 그 결과를 분석하였다. 응답 전류는 식 (1)과 같이 전해질 내에서 TMB와 HRP 반응을 전기화학적으로 측정한다.

대상 데이터

  • 제작된 산화아연 나노구조 기반의 면역센서를 전기화학적으로 측정하기 위한 전해질로 0.1 mM TMB(3,3', 5,5'-tetramethylbenzidine)과 2 mM 과산화수소가 혼합된 0.1 M acetate buffer 용액(pH 5)을 사용하였고, 작업전극으로는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서, 기준전극으로 Ag/AgCl 전극, 상대전극으로 백금선을 사용하였다.

이론/모형

  • H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서 제작을 위해 그림 3과 같이 포획항체-H1N1 항원-검출항체-HRP 효소 결합체 형태인 샌드위치 ELISA법을 이용하였다. 포획항체를 0.
  • H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출을 위해 열수방식과 리프트-오프 방법을 이용하여 금 전극 위에 산화아연 나노구조 기반의 전기화학적 면역센서를 제작 및 특성평가를 하였다. H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출용 면역센서 제작을 위해 포획항체-H1N1 항원-검출항체-HRP 효소 결합체 형태인 샌드위치 ELISA법을 이용하였고, 순환전압전류법으로 전기화학적 면역센서의 특성을 평가하였다. 제작된 면역센서는 H1N1 항원 농도가 10 pg/mL ~ 5 ng/mL 범위에서 logarithmic하게 응답 전류가 증가하였다.
  • 본 논문에서는 H1N1 인플루엔자 A 바이러스 검출을 위한 면역센서의 전극을 구현하기 위해 열수방식과 리프트-오프(lift-off) 방법으로 산화아연 나노구조를 전극 위에 패턴하였고 미량의 항체 및 항원을 사용하여 산화아연 나노구조 기반의 전기화학적 면역센서를 제작하였다. 그리고 제작된 면역센서는 전기화학적 측정법인 순환전압전류법(cyclic voltammetry)으로 면역센서의 특성을 분석하였다.
  • 산화아연 나노구조 기반의 면역센서를 구현하기 위해 포토리지스트(photoresist) 리프트-오프(lift-off) 방법과 열수방식을 사용하였다. 그림 1은 포토리소그래피(photolithography) 공정과 열수방법[7]을 이용하여 금 전극 위에 산화아연 나노구조를 패턴하는 과정을 보여준다.
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