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온도에 따른 $SiO_2$, $SiN_X$ 게이트 절연막 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터 전기적 특성 연구 원문보기

한국진공학회 2013년도 제 45회 하계 정기학술대회 초록집, 2013 Aug. 21, 2013년, pp.243.2 - 243.2  

김상섭 (성균관대학교 정보통신대학) ,  고선욱 (성균관대학교 정보통신대학) ,  최병덕 (성균관대학교 정보통신대학)

초록
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본 실험에서 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막에 따른 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터를 제작하여, 온도변화에 따라 전달 특성 변화를 측정하여 열에 대한 소자의 안정성을 비교, 분석하였다. 온도가 증가함에 따라 carrier가 증가하는 온도 의존성을 보이며, 이로 인해 Ioff가 증가하였다. multiple-trapping 모델을 적용하여, 이동도 증가와 문턱 전압이 감소를 확인하였다. 또한 M-N rule을 적용하여 $SiO_2$, $SiN_x$ 게이트 절연막을 가진 ITZO 산화물 박막 트랜지스터의 활성화 에너지를 추출하고, sub-threshold 지역에서 활성화 에너지의 변화량이 $SiO_2$, SiNX 각각 0.37 eV/V, 0.24 eV/V로 차이를 통해 $SiN_x$ 게이트 절연체를 가진 ITZO 산화물 반도체 트랜지스터의 이동도와 문턱 전압의 변화가 더 컸음을 확인하였다.

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