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Modulated Pulsed Power를 이용한 Cr 박막의 증착과 특성 분석 원문보기

한국진공학회 2013년도 제 45회 하계 정기학술대회 초록집, 2013 Aug. 21, 2013년, pp.123.1 - 123.1  

민관식 (한국표준과학연구원) ,  송제범 (한국표준과학연구원) ,  윤주영 (한국표준과학연구원) ,  신용현 (한국표준과학연구원) ,  차덕준 (군산대학교 물리학과) ,  황윤석 ((주)화인솔루션) ,  허윤성 ((주)화인솔루션) ,  김진태 (한국표준과학연구원)

초록
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반도체 공정에서는 사용하는 power source의 형태는 pulse-DC이다. Pulse-DC는 DC power에 비해 증착율이 좋고, 박막의 특성도 우수한 특성을 가진다. 이러한 장점에도 불구하고 pulse-DC나 DC power는 플라즈마 내 이온이 가지는 에너지가 크고, 이온화율도 낮다. 이러한 단점을 극복하기 위해 등장한 power source가 modulated pulsed power이다. Modulated pulsed power는 이온이 가지는 에너지가 DC power의 1/2 수준이며, 이온화율은 4배 이상 높은 특징을 가진다. 본 연구에서는 modulated pulsed power를 사용하여 Cr 박막을 Si wafer 위에 증착하여 박막의 특성을 관찰하였다. 연구에 사용된 power는 5 kV (800 V, 12.5 A), 20~120 KHz, 3 step까지 설정이 가능한 장비이며, base pressure $1.5{\times}10^{-6}$ Torr에서 실험이 진행되었고, 실험에 사용된 불활성 기체는 Ar을 사용하였다.

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