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NTIS 바로가기Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2015 16th International Conference of Young Specialists on, 2015 June, 2015년, pp.302 - 305
Dvoretskiy, Sergey A. (Inst. of Semicond. Phys., Novosibirsk, Russia) , Zverev, Alexey V. (Inst. of Semicond. Phys., Novosibirsk, Russia) , Makarov, Yuriy S. (Inst. of Semicond. Phys., Novosibirsk, Russia) , Mikhantiev, Eugene A. (Inst. of Semicond. Phys., Novosibirsk, Russia)
The review of architecture and characteristics of developed 384×288 silicon readout integrated circuit with 25 μm pixel pitch for MWIR and LWIR MCT based FPA is presented. The main characteristics of the ROIC: pixel cell electron capacity > 21 Me-, maximum output pixel rate per one vid...
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