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고효율 마그네트론 스퍼트링 캐소드의 설계 및 박막 제작 특성
Thin films made by magnetron sputtering cathode with wide target erosion 원문보기

한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집, 2007 Nov. 01, 2007년, pp.365 - 366  

박장식 (월드비젼) ,  이원건 (대원에프엔씨) ,  정민기 (대원에프엔씨) ,  박이순 (경북대학교 공과대학 고분자공학과) ,  안창규 (월드비젼)

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High quality cathode with high deposition rate of thin films and long target life time is required for manufacturing TFT-LCD and semiconductor. We developed WV(wide view) sputtering cathode with wide erosion area and high deposition rate. Ti thin film thickness variation in WV cathode is below 5% fo...

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제안 방법

  • Al, Ti 타겥의 사용 적산시간에 대한 타겥의 에로죤의 깊이와 박맊이 두께 변화뿌 츢정하였다. 그리고 타겥의 에로죤 형상으로부터 사용효율을 추정하였다.
  • 그림 1은 Al 타겥을 장착한 종래형 캐소드 (nonnal cathode) 와 Ti 타겥을 장착한 WV 캐소드의 사용적산전弓에 대한 박막두께외 변화르 측정한 것으로 A1 타겙과 Ti 타겥에는 각각 2.9kW, 20분과 4kW 10분간 코팅하여 박막의 두께를 측정하였다. 종래형 캐소드에 장착된 A1 타겥 경우에는 사묭적산전력 180kWh 에서의 박막두께는 초기에 비해서 약 20% 감소하였다.
  • 본 연구에서는 캐소드 상부에 2개의 타원형 자기력선 꼭지점의 구조플 4개의 꼭지점 구조로 조정해서 스퍼터링 속도와 타겥 효율이 높은 WV 캐소드를 개밭하고 Al, Ti 타겥트를 사용해서 적산전력에 대한 박막의 두께, 에로젼 깊이를 측정하였다. WV 캐소드에 장착해서 380kWh 적산 전력이 경과한 Ti 타겥의 막막두께는 최기와 비교해 서약 5%의 변화가 있으며 에로죤의 깊이는 시간이 경과됨에 따라 비례적으로 증가하며 종래형 캐소드에 장착해서 180\kWH 적산전력이 경과한 A1 타겥의 경우에는 박막 두께는 초기에 비해 약 20%의 감소가 하고 전산전력이 증가함에 따라 에로죤 깊이는 급격히 증가되는 양상을 보여주었다.
  • 뽄연구에서는 Maxwell 소프트의 자기력선 시譽레이션과 종래 캐소드의 타겥상부의 타원형 자기력선의 2개의 꼭지점의 구조률 4개로 조정해서 타겥상부의 플라즈마 분포聲 균일하게 해서 타겥의 에로죤 면적 범위가 넓고 높은 성막 속도프 가지는 마그네트론 스퍼트링에 적합한 WV(wide view) 캐도드를 개발하였匚h Bat샪1형 sputtering 장비률 사용하여 99.99% 순도의 Al, Ti 타겥욽 장착하고 2.9kW~4kW 의 전력을 인가하여 초기 진공도는 약 0.02 mtorr 이하로 배기하고 공정암력읉 약 1~2 mtorr 어[서 기판을 회전해R 실온에서 글라스 기판에 박막묠 증착하였다. Al, Ti 타겥의 사용 적산시간에 대한 타겥의 에로죤의 깊이와 박맊이 두께 변화뿌 츢정하였다.
  • 박막의 제작공정은 박막코팅 속도가 높고 타겥의 사용수명이 긴 마그네트뽄 스퍼트링장비의 캐소드가 필요하다. 타겥의 제한된 사용에 의해서 사용수명이 짧아 져서 재료비용이 증가하고 공정의 손싩 시간이 크짐에 따라 타겓의 수명을 길게 하기 위해서 여러가지 방법이 제안되었다’ 본 연구에서는 종래 캐소드의 타겥상부의 자기력선의 형상을 조정해서 타겥의 사용효율을 높이고 막막코팅 속도를 증가시키는 WV 캐소드를 개발하고 Al, Ti 타게의 적산전력 시간에 대한 박막두헤, 에로죤깊이를 측정하였다.
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