[논문]Ultralow resistive wrap around contact to scaled FinFET devices by using ALD-Ti contact metal

Chew, S-A; Yu, H.; Schaekers, M.; Demuynck, S.; Mannaert, G.; Kunnen, E.; Rosseel, E.; Hikavyy, A.; Dangol, A.; De Meyer, K.; Mocuta, D.; Horiguchi, N.; Leusink, G.; Wajda, C.; Hakamata, T.; Hasegawa, T.; Tapily, K.; Clark, R.

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[해외논문] Ultralow resistive wrap around contact to scaled FinFET devices by using ALD-Ti contact metal

Interconnect Technology Conference (IITC), 2017 IEEE International, 2017 May, 2017년, pp.1 - 3

Chew, S-A (KU Leuven, Leuven, Belgium) , Yu, H. (IMEC, Leuven, Belgium) , Schaekers, M. (IMEC, Leuven, Belgium) , Demuynck, S. (IMEC, Leuven, Belgium) , Mannaert, G. (IMEC, Leuven, Belgium) , Kunnen, E. (IMEC, Leuven, Belgium) , Rosseel, E. (IMEC, Leuven, Belgium) , Hikavyy, A. (IMEC, Leuven, Belgium) , Dangol, A. (KU Leuven, Leuven, Belgium) , De Meyer, K. (IMEC, Leuven, Belgium) , Mocuta, D. (IMEC, Leuven, Belgium) , Horiguchi, N. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Leusink, G. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Wajda, C. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Hakamata, T. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Hasegawa, T. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Tapily, K. (TEL Technol. Center, America, LLC, Albany, NY, USA) , Clark, R.

Abstract ▼ AI-Helper

We report on Atomic Layer Deposition Titanium (ALD Ti) for FinFET source/drain contact applications. On planar test structures, we accurately benchmark contact resistivity (ρc) of ALD Ti, ~1.4 × 10-9 Ω · cm2 on Si:P and ~2.0 × 10-9 Ω·cm2 on SiGe:B, among to lowest reported values in literature. Ultralow ρc is resulting from enhanced Ti/Si(Ge) reactivity originating in the ALD process. We also demonstrate capability of this process to significantly lower Rc on FinFETs by allowing a lateral contact into the S/D area effectively maximizing the contacting area.

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