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박막트랜지스터 소자 응용을 위한 비정질 ITZO 박막의 전기적 및 광학적 특성 분석
Electrical and optical properties of amorphous ITZO thin films examined for thin film transistor application 원문보기

한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집, 2014 Nov. 20, 2014년, pp.252 - 253  

조광민 (경북대학교 신소재공학부) ,  김세윤 (경북대학교 신소재공학부) ,  이준형 (경북대학교 신소재공학부) ,  김정주 (경북대학교 신소재공학부) ,  허영우 (경북대학교 신소재공학부)

초록
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비정질 ITZO 박막은 ITZO(In:Sn:Zn= 8:1:1, 6:2:2, 4:3:3, 2:4:4) 타겟을 이용하여 상온에서 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 제조 되었다. ITZO 박막의 물성을 알아보기 위하여 조성별, 산소 분압별 및 열처리에 따른 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 분석하였다. 박막 실험 결과를 바탕으로 ITZO(4:3:3) 박막을 채널 층으로 이용하여 성공적으로 박막 트랜지스터를 제작 하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 산화물 박막 트랜지스터는 이동도가 수에서 수십cm2/V·s로써 기존 비정질 실리콘에 비해 매우 높아 고주파수 고해상도 디스플레이 제작에 적합하며, 넓은 밴드갭을 가지고 가시광선 영역에서 투명하여 차세대 투명디스플레이에 유용하게 사용할 수 있다. 본 연구에서는 투명 디스플레이 및 플렉시블 디스플레이 등의 적용될 수 있는 산화물 박막 트랜지스터의 중요 구성요소 중 하나인 채널용 투명 산화물 박막 소재뿐만 아니라, ITO, IZO와 같은 투명 전도막 응용을 위한 In-Sn-Zn-O(ITZO)의 물성을 조사 하였다.
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