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In-situ HT-XRD를 이용한 ITO 박막의 특성 조사
A study on characteristics of ITO thin films by in-situ HT-XRD 원문보기

한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집, 2012 May 31, 2012년, pp.210 - 210  

조상현 (부산대학교 재료공학과) ,  김효진 (경북대학교 고분자공학과) ,  정재헌 (부산대학교 재료공학과) ,  송규호 (대구테크노파크 나노융합실용화센터) ,  송풍근 (부산대학교 재료공학과)

초록
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본 연구에서는 터치패널에 적용되는 ITO 박막의 $SnO_2$ 함량별(2, 3, 5, 10wt%) 특성을 확보하기 위하여, Sputtering 장치를 사용하여 ITO 박막을 상온에서 증착한 후 In-situ HT(High temperature)-XRD를 이용하여 온도에 따른 구조적 특성변화를 조사하였다. In-situ HT-XRD 측정 시 온도는 170, 200, $250^{\circ}C$, 유지시간은 1시간으로 제어하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 SnO2 함량에 따른 ITO 박막의 온도 의존성을 파악하기 위해 ITO (SnO2 2, 3, 5, 10wt%) 타겟을 사용하여 Non-alkili glass위에 증착한 ITO 박막을 HT-XRD 사용하여 측정하였다. HT-XRD 장치의 소형 진공챔버 내에 설치된 Thermal stage에 장착한 후 상온~ 170, 200, 250℃까지 일정온도 (20℃/min.
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