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문제 정의
- 따라서 본 논문에서는 기존의 무선전력전송 시스템에서 사용하던 Si기반의 MOSFET 대신 역회복 특성이 좋은 GaN HEMT를 사용하여 ZVS에서 ZCS로 바뀌어도 동작이 가능한 300W급 무선전력전송 시스템을 구현하고 Prototype 무선전력전송 시스템을 제작하여 이에 대한 Simulation 및 실험을 통해 구현의 타당성을 제시한다.
- 본 논문에서는 GaN HEMT를 적용한 무선전력전송 시스템의 성능을 평가하기 위해 그림 1과 같은 시스템을 설계 하였다. 송신측 풀브리지 인버터측에 MOSFET 대신 GaN HEMT를 적용하고, 수신측 회로는 다이오드 정류회로를 적용하였다.
- 본 논문에서는 Si기반의 MOSFET 대신 GaN HEMT를 사용하여 초기 단계의 300W Prototype의 자기유도방식의 무선전력전송 시스템을 설계 및 Simulation과 실험 결과를 제시하여 타당성을 검증하였다. 제작된 무선전력전송 시스템에 대한 실험 결과 스위칭 주파수 60~65kHz로 지정한 범위에서 동작하는 것을 확인하고 MOSFET에서는 동작이 불가능한 ZCS범위에서도 GaN HEMT를 적용하여 무리 없이 동작하는 것을 확인 하고 효율을 측정 하였다.
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