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반도체 소자의 기생성분을 고려한 CRM PFC 컨버터의 해석
Analysis of the CRM PFC Converter Considering Semiconductor Parasitic Element 원문보기

전력전자학회 2016년도 추계학술대회 논문집, 2016 Nov. 25, 2016년, pp.145 - 146  

김태훈 (한경대학교) ,  이우철 (한경대학교)

초록
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일반적인 boost PFC 컨버터는 한 개의 스위칭 소자를 사용하고 구조가 간단하지만 높은 도통손실스위칭 손실 때문에 낮은 효율을 갖는다. bridgeless boost PFC 컨버터는 일반적인 boost PFC 에 비해 낮은 손실을 갖는 이점이 있다. 또한 컨버터의 동작 모드 중 CRM 방식은 낮은 스위칭 손실을 갖는 이 점이 있다. 본 논문에서는 이러한 CRM 모드로 동작하는 bridgeless boost PFC 컨버터를 해석하는 경우 기존의 방법으로 해석하여 구현하면 주파수가 커지는 영역에서 오차가 커지게 된다. 따라서 본 논문에서는 반도체 스위치의 기생 커패시터를 추가하여 해석하는 것을 제안하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 기존의 회로 해석 방법에 의해 구현하는 경우 주파수가 높아지는 영역에서 오차가 크게 발생하여 CRM 모드로 동작하지 못한다. 따라서 본 논문에서는 기생 커패시터를 추가한 해석을 통해 커패시터에 의한 오차를 보상하는 방법을 제안하였다. 제안된 방법을 통해 보다 정확한 계산이 가능하고 이는 시뮬레이션을 통해 확인하였다.
  • CRM 으로 동작하는 bridgeless boost PFC 컨버터를 해석하는 경우 기존의 해석방법으로는 컨버터의 스위칭 주파수가 커지는 영역에서 실제 CRM 으로 동작하는 주파수와 계산되는 주파수 사이에 큰 오차가 발생 하게 된다. 따라서 본 연구에서는 보다 정확한 계산 결과를 얻기 위해서 bridgeless boost PFC 컨버터의 계산 시 반도체 소자의 기생 커패시턴스를 보상하여 계산의 오차를 줄이는 것을 제안하였고, 이는 시뮬레이션을 통해 확인하였다
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