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NTIS 바로가기대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II, 2003 July 01, 2003년, pp.711 - 714
Oh, Jihun (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Cho, Won-ju (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Yang, Jong-Heon (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Im, Kiju (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Baek, In-Bok (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Ahn, Chang-Geun (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute) , Lee, Seongjae (Nano Electronic Devices Team Electronics and Telecommunications Research Institute)
In this presentation, we investigated the abnormal subthreshold slope of the FD SOI MOSFETs upon the rapid thermal annealing. Based on subthreshold technique and C-V measurement, we deduced that the hump of the subthreshold slope comes from the abnormal D
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