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[국내논문] GaN FET을 적용한 위상 천이 DC-DC 컨버터의 문제점 분석
Problem Analysis of Phase Shifted DC-DC Converter Using GaN FET 원문보기

전력전자학회 2014년도 추계학술대회 논문집, 2014 Nov. 28, 2014년, pp.197 - 198  

주동명 (성균관대학교) ,  김동식 (대진대학교) ,  이병국 (성균관대학교) ,  김종수 (대진대학교)

초록
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본 논문에서는 Si MOSFET을 차세대 반도체인 GaN FET(Gallium Nitride Field Effect Transistor)으로의 대체 할 시 발생하는 문제점을 분석한다. 다양한 전력변환 시스템에 적용 가능한 위상 천이 풀브리지(Phase Shifted Full Bridge) DC-DC 컨버터를 대상으로 각각 Si MOSFET 및 GaN FET를 적용하고 실험을 통해 문제점을 확인 및 분석한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 600V급 캐스코드 GaN FET을 PSFB DC DC 컨버터에 적용했을 때 발생하는 문제점을 분석한다. 시뮬레이션 및 실험을 통하여 GaN FET의 특성에 의해 나타나는 문제점을 확인 및 분석한다.
  • 본 논문에서는 차세대 반도체인 캐스코드 GaN FET를 PSFB 컨버터에 적용했을 때의 faulty turn on 및 Dead time 미 최적화 시의 하드 스위칭 문제점을 분석하였으며 각 문제점의 원인 및 해결책을 제시하였다.
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