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문제 정의
- 그러나 GaN 반도체에 대한 국제적인 관심과는 달리 국내의 GaN 반도체의 관심과 연구의 정도는 매우 미비한 수준이며, 주요 GaN 반도체 공급업체에서도 구체적인 제품의 과도특성을 정량적으로 명시하고 있지 않아 연구에 어려움이 있다. 따라서, 본 논문은 GaN 전력소자의 공개된 정보를 바탕으로 스위칭 과도 특성과 관련된 파라미터들을 정량적으로 추출하고, 시뮬레이션 모델과 수학적 분석을 바탕으로 그 성능을 평가함으로써 GaN 반도체의 특성을 분석한다.
- 본 논문에서는 GaN FET 데이터 시트에 제공된 제한적 정보로부터 스위칭 손실 및 발열량 계산이 가능하도록 과도상태파라미터를 추출하는 방법을 이론적으로 제시하고 시뮬레이션모델을 제시하였다. 제시된 모델은 GaN FET의 과도상태 손실을 계산하는데 유용하게 활용될 것으로 기대된다.
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