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1700V급 IGBT 모듈용 트랜스포머 절연형 게이트 구동 회로
Transformer-Isolated Gate Driver with Power Supply for 1700V IGBT 원문보기

전력전자학회 2012년도 전력전자학술대회 논문집, 2012 July 03, 2012년, pp.113 - 114  

박유철 (LS산전) ,  김태완 (LS산전) ,  오필경 (LS산전) ,  서정광 (LS산전) ,  박민호 (LS산전)

초록
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최근 전력용반도체 모듈 시장이 발전함에 따라 고전압 제품에 대한 수요가 증가하고 있다. 하지만 1700V급 이상의 고전압용 IGBT 모듈을 구동하기 위한 게이트 드라이버의 경우 해외의 제품은 단가가 매우 높은 것이 현실이다. 이에 따라 1700V급 이상의 전력반도체 모듈용 게이트 드라이버를 손쉽게 구현할 수 있도록 단가 경쟁력과 향상된 성능을 갖춘 게이트 드라이버를 연구하게 되었다. 본 논문에서는 1700V급 이상의 전력용반도체 모듈용 게이트 드라이버를 제작하고 각 부분의 파형을 설명하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 기존의 트랜스포머 구동회로는 전압을 끌어올리는 커패시터 때문에 마지막 펄스 문제가 발생하여 본 논문에서는 edge triggered 형태의 구동회로를 제안하였다. 실험 결과 제안된 트랜스포머 구동 회로는 넓은 영역의 주파수 동작, 완벽한 2차측 펄스의 구현, 우수한 딜레이 시간의 결과를 얻을 수 있었다.
  • 현재 판매중인 1700급V 이상의 IGBT 모듈용 구동회로는 고가의 제품이라 사용하기에는 어려움이 있다. 본 논문에서는 가격적인 문제를 해결하고 국내에서도 손쉽게 고전압 모듈을 구동할 수 있도록 트랜스포머 게이트 구동 회로를 제작하였다.
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