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직렬 공진 하프-브릿지 컨버터 인덕션 쿠커에 적용할 Wide-Bandgap power device 선정
Selection of Wide-Bandgap power device for series resonant half-bridge converter of Induction Cooker 원문보기

전력전자학회 2018년도 추계학술대회, 2018 Nov. 30, 2018년, pp.159 - 160  

김재근 (홍익대학교 전자전기공학과) ,  김승권 (홍익대학교 전자전기공학과) ,  박성민 (홍익대학교 전자전기공학과)

초록
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본 논문에서는 인덕션 쿠커의 토폴로지 중 하나인 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력 반도체를 적용하여 전력 손실을 평가한다. 전력 반도체의 발전으로 Si-기반의 전력반도체를 대체할 GaN과 SiC의 Wide-Bandgap 소자들이 양산되고 있다. Wide-Bandgap 소자의 장점은 고주파수에서의 동작과 낮은 손실에 있다. 이에 인덕션 쿠커의 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력반도체를 적용하여 전력 손실을 PSIM Thermal Module을 통해 평가하고 인덕션 쿠커에 적합한 소자를 선정한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 기존 Si-IGBT를 대체하기 위해서 현재 시장에서 구매할 수 있는 GaN-FET과 SiC-FET을 적용하여 인덕션 쿠커에 적합한 스위칭 소자를 선택한다. 이를 위해 PSIM Thermal Module을 이용하여 스위칭 소자의 전력손실 시뮬레이션을 통해 예측하고 비교분석한다.
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