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문제 정의
- 예를 들어, 그림 2와 같이 인버터의 암 전류와 IGBT의 특성 곡선을 보면, 인버터 암 전류는 음수일 때 V-I 특성 곡선의 비선형 구간에서 흐른다. 따라서, 본 논문에서는 전류의 부호에 따라 다른 문턱 전압과 온 저항을 사용하여 전도 손실 계산의 정확성을 높이는 방법을 제안한다.
- 본 논문에서는 MMC HVDC 시스템의 문턱 전압과 온 저항을 암 전류의 부호에 따라 다르게 선정하는 방법을 제시하였다. 제안한 방법은 하나의 문턱 전압과 온 저항을 사용하는 것보다 모의실험을 통해 취득한 예상 손실과 비교하여 오차를 줄인 것을 확인하였다.
- 하지만 게이트 절연 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)와 다이오드의 V-I 특성 곡선을 선형으로 근사하여 문턱 전압(Threshold voltage)과 온 저항(On-state resistance)을 산정하여 사용하므로 V-I 특성 곡선의 비선형 구간에 해당하는 전류가 흐를 때는 전도 손실 계산의 정확성이 떨어진다. 비선형성으로 인한 오차를 보정하기 위해 본 논문에서는 MMC 암 전류의 부호에 따라 별도의 V-I 특성 곡선 근사를 제안한다.
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