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문제 정의
- 세 번째 방법(Type 3)은 그림 4의 Type 2의 정류기와 구조는 동일하나 비교기의 회로가 다르고, 비교기의 전력을 정류기의 출력이 아닌 능동 다이오드의 입력(VFWR)에서 전력을 공급받아 동작하는 input-powered 정류기이다[7]. Type 3의 정류기의 경우 진동 에너지가 공급되지 않을 때 기존의 정류기와는 달리 비교기의 전류 소소모를 차단시켜 정류기의 비교기에 의한 저장 커패시터(CSTO)에 저장된 에너지의 추가적인 전력 소모를 차단하기 위한 목적으로 제안된 정류기이다.
- 기존의 다이오드를 이용한 정류기는 집적화하기에 적합하지 않고, 다이오드의 on 전압에 의한 전압 강하(voltage drop)가 커서 높은 효율을 기대 하기 어렵다. 따라서 효율 개선을 위해 그림 2에서와 같이 다이오드 대신 MOSFET 스위치를 사용 하는 전파 정류기에 대해 관심을 갖게 되었다. 이 정류기는 MOSFET이 모두 스위치로만 동작하기 때문에 입력 전압과 출력 전압 사이의 전압강하가 거의 없다.
- 본 논문에서는 0.35um CMOS 공정을 이용하여 세 가지 유형의 전파 정류기를 설계해 이를 비교 분석 하였다. 첫 번째 정류기는 두 개의 능동 다이오드와 두 개의 MOSFET로 구성된 전파 정류기로 능동 다이오드의 비교기는 정류기의 출력으로 부터 전력을 공급받는다.
- 본 논문에서는 진동에너지 하베스팅을 위한 세 가지 유형의 전파 정류기를 0.35um CMOS으로 설계하여 비교 분석 하였다.
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