[논문]Characterizing the Reliability and Threshold Voltage Shifting of 3D Charge Trap NAND Flash

Liu, Weihua; Wu, Fei; Zhang, Meng; Wang, Yifei; Lu, Zhonghai; Lu, Xiangfeng; Xie, Changsheng

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[해외논문] Characterizing the Reliability and Threshold Voltage Shifting of 3D Charge Trap NAND Flash

Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE), 2019, 2019 Mar, 2019년, pp.312 - 315

Liu, Weihua (Huazhong University of Science and Technology, China) , Wu, Fei (Huazhong University of Science and Technology, China) , Zhang, Meng (Huazhong University of Science and Technology, China) , Wang, Yifei (Huazhong University of Science and Technology, China) , Lu, Zhonghai (KTH Royal Institute of Technology, Sweden) , Lu, Xiangfeng (Beijing Memblaze Technology Co., Ltd, China) , Xie, Changsheng (Huazhong University of Science and Technology, China)

Abstract ▼ AI-Helper

3D charge trap (CT) triple-level cell (TLC) NAND flash gradually becomes a mainstream storage component due to high storage capacity and performance, but introducing a concern about reliability. Fault tolerance and data management schemes are capable of improving reliability. Designing a more efficient solution, however, needs to understand the reliability characteristics of 3D CT TLC NAND flash. To facilitate such understanding, by exploiting a real-world testing platform, we investigate the reliability characteristics including the raw bit error rate (RBER) and the threshold voltage (Vth) shifting features after suffering from variable disturbances. We give analyses of why these characteristics exist in 3D CT TLC NAND flash. We hope these observations can guide the designers to propose high efficient solutions to the reliability problem.

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