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고온합성 Si-DLC에서의 표면물성연구
Structure changes in Si-containing Diamond-like Carbon (DLC) film at high-temperature 원문보기

한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집, 2008 Nov. 19, 2008년, pp.37 - 37  

김상권 (한국생산기술연구원, 플라즈마응용팀) ,  김성완 (한국생산기술연구원, 플라즈마응용팀)

초록
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고온에서 안정적인 DLC막을 성막하기 위해 PECVD공정에서 실리콘을 첨가하여 제조하였다. 기존의 실리콘첨가 DLC막과는 다르게 고온에서 생성됨으로 마이크로 클러스터 형태의 DLC구조로서 disordered 영역이 넓게 존재하고 있어 I(D)/I(G)비에서의 변화가 있는 것이 관찰되었다. 실리콘 양이 증가할수록 값이 낮아지는 것이 관찰되는데 이는 실리콘량이 증가하면서 수소의 위치에 실리콘이 결합하면서 sp3 단일구조형태의 코팅 막을 만드는 것이 관찰된다. 고온 어닐링효과로 내부구조에서 다량의 sp2구조가 관찰되는 것으로서 DLC막이 어느 정도 흑연화되지만, 실리콘이 SiC에서 SiOx로 $SiO_2$와 SiOH막으로 바뀌는 면서 마찰계수가 낮은 DLC막을 유지할 것으로 기대되며, XPS와 FT-IR분석에 의해 이러한 상들의 존재를 관찰할 수 있었다. 특히 공정상 TMS이 증가하면 첨가된 Si에 의해 형성되는 막이 초기부터 OH기를 다량 포함하고 있는 것을 알 수 있었고, 온도 상승에 의해서 실리콘표층에 더욱 많은 SiOx계열의 물질이 생성되는 것이 명확하게 발견되었다.

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문제 정의

  • 그러나 여전히 DLC의 물성을 고온에서도 가지면서 내열성을 유지해야하나 500℃ 이상의 온도에서 흑연화로 인해 마모성능이 떨어지는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 실리콘의 함유를 위해 고온PECVD 공정을 활용하여 DLC를 제조함으로 수소의 함량을 원천적으로 줄여 고온에서도 막의 파손을 막고DLC의 물성역시 고온에서 유지 시키고자 하였다.
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