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피코초 레이저를 이용한 TSV 가공 특성에 관한 연구
Picosecond Laser Drilling of Silicon Wafer for 3D-TSV 원문보기

한국정밀공학회 2009년도 추계학술대회 논문집, 2009 Oct. 26, 2009년, pp.701 - 702  

신동식 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) ,  서정 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) ,  이제훈 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) ,  김경한 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) ,  백병만 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실)

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문제 정의

  • 즉, 기존의 레이저 비아홀 드릴링 공정은 DPSSL 기반 UV레이저를 기반으로 하여 10um이하의 가공에서는 열적 영향을 배제할 수 없었으나 극초단 펄스 레이저를 이용한 정밀 드릴링 공정이 적용된다면 10um이하의 가공이 충분히 가능할 것으로 기대된다. 극초단 펄스레이저를 이용한 재료의 가공공정은 나노초 기반의 레이저 가공공정에 비하여 열영향구간이 적으며 이에 따라 마이크로 크랙, 용융물 및 surface debris가 최소화되는 장점이 있을 것으로 예상되며 이의 검증 및 문제점 규명을 위하여 본 실험을 진행하게 되었다.
  • 본 실험은 MCP를 위한 웨이퍼 가공중 TSV공정에 관한 연구로서 환경적, 경제적 및 기술적으로 단점을 보유하고 있는 DRIE의 대체의 공정의 일환으로 피코초 레이저를 이용한 비열적 가공에 대하여 진행하였다. 실험은 나노초 레이저와 피코초 레이저를 이용한 웨이퍼 가공을 비교함에 있어 장단점을 분석하였으며 피코초 레이저는 TSV공정에 있어 한계에 다다르기 시작한 나노초 레이저에 비하여 적은 에너지로서 깊은 가공이 가능하며, 열적영향이 적으면서 미세한 선폭의 가공에 적합하다는 결론을 얻을 수 있었다.
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