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NTIS 바로가기한국정보통신학회 2022년도 춘계학술대회, 2022 May 26, 2022년, pp.560 - 561
안은서 (한경대학교) , 유윤섭 (한경대학교)
In this paper, current-voltage characteristics of various types of Nanosheet FET (NSFET) and FinFET are simulated with 3D device simulator. The threshold voltage and subthreshold swing extracted from the simulated current-voltage characteristics of NSFET and FinFET were compared. Both of threshold v...
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