최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | European Patent Office(EP) / A2 공개 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | EP-0308461 (1986-10-30) |
공개번호 | EP-0232589 (1987-08-19) |
우선권정보 | US-0816593 (1986-01-06) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
A Zener diode (D) exhibiting subsurface breakdown includes a cathode (36) formed entirely within the emitter (22, 28) of a vertical PNP transistor (Q). The base (16) and collector (11) of the PNP transistor are resistively coupled to ground. The emitter of the PNP transistor functions as the anode o
대표청구항이 없습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.