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NTIS 바로가기국가/구분 | European Patent Office(EP) / A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | EP-0301283 (1991-02-19) |
공개번호 | EP-0444808 (1991-09-04) |
우선권정보 | US-0486459 (1990-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A lateral MOS-controlled thyristor (MCT) structure (10) using a single MOS gate (17) for both turn-on and turn-off. By eliminating a parasitic lateral PNP transistor, through the addition of a high resistivity region (14) surrounding one output terminal, and adding a DMOS transistor (13,11, 20) to a
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