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[한국특허] 비스페놀F 고상입자의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C07C-039/19
출원번호 10-1980-0003089 (1980-08-02)
공고번호 10-0016183-0000 (1983-08-10)
등록번호 10-0016183-0000 (1984-01-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1019800003089
발명자 / 주소
  • 로버트그란존 / 루실론쉐밍드바타마**
  • 미셸푸르니르 / 리옹뤼샤지에르**비스
출원인 / 주소
  • 롱플랑인더스트리트 / 파니지아베뉴몽테뉴**
대리인 / 주소
  • 성명불분명
  • 주소불분명
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

[목적]약간 굵은 고상입자상의 비스페놀 F(디히드록시디페닐메탄)의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.[구성]공업용 비스페놀 F 소적을 분산 교반 상태로 유지되고 섭씨 70도 이상의 비점 온도를 가지며 주로 물로 이루어진 화학 적 불활성 액체 매질 중에 비스페놀 F와 액체 매질과의 중량 비를 1.6 이상으로 하여 분산시킨 다음,이 분산액을 교반 상태를 계속 유지하면서 상기 비스페놀 F의 분산적을 고상입 자로 고화하기 위하여 섭씨 35도 이하의 온도로 냉각시켜 고상 비스페놀 F 입자를 제조한다.[효과]비스페놀 F의 고상입자들은

대표청구항

액상 및 화학적으로 불활성인 매질 중에 비스페놀―F 소적의 분산액을 70°C 이상에서 생성시키고 거의 분산액상태로 유지하면서 전량을 냉각시켜 비스페놀―F의 고상입자를 석출시킴을 특징으로 하는 공업용 비스페놀 고상입자의 제조방법.

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