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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1985-0005329 (1985-07-25) |
공개번호 | 10-1986-0001904 (1986-03-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019850005329 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
[목적]최근의 전자부품재료에 사용되는 고속 은도금액의 관리에 관한 방법을 제공한다.[구성]고속은도금에서 도금액과 산성용액을 양이온교환막을 경계로 접촉시키면 증가하는 K+등의 알칼리금속이온을 양이온 교환막으로 선택적으로 제거하고, 도금액중의 칼륨염등의 축적을 방지하고, 결과적으로 도금액중의 KOH가 제거된다. 양이온교환막은 한쪽에 시안화은알칼리함유수용액을 다른쪽에 산성용액(PH7이하)을 유지함으로써 알칼리금속을 선택적으로 제거하는 것으로 구성되어 있다.
은도금용의 시안화은 알칼리함유수용액중에 존재하는 알칼리금속을 양이온교환막을 사용하여 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 은도금법.
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