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연합인증

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비정질 금속 열처리방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C21D-009/60
  • C21D-001/42
출원번호 10-1986-0009338 (1986-11-06)
공개번호 10-1988-0006369 (1988-07-22)
공고번호 10-0033273-0000 (1989-12-16)
등록번호 10-0033273-0000 (1990-05-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1019860009338
발명자 / 주소
  • 임홍기 / 인천시동구송현동삼두아파트*동****호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 구자덕 (KOO, Ja Duk)
  • 서울 강남구 역삼동 ***번지 풍림빌딩 ***호(구자덕특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1986-11-06)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

재료의 가기 이방성을 균일하게 분산시켜 연자성 재료의 초투자율을 개선시키고, 비정질 금속 자성 재료의 자기적 특성을 향상시키는 열처리방법을 제공한다.전자석(3,3')을 이용하여 재료(1)에 항상 일정한 자장을 가하고, 석영관(2)에 내장된 솔레노이드 코일(4)에 0.1 내지 30 Hz로 교류 전류를 흘려 솔레노이드에 발생하는 자장의 세기와 방향이 주기적으로 변화하여 재료(1)가 받는 자장의 세기와 방향이 주기적으로 변화되도록 하며, 주기적으로 변화하는 자장의 세기와 방향에 의해 열처리되어 비정질 금속 리본의 자기 이방성을 미세하게

대표청구항

전자석(3)과 (3')을 이용하여 재료(1)에 항상 일정한 자장을 가하는 동시에 석영관(2)에 내장된 솔레노이드코일(4)에 AC전류의 주파수를 0.1-30㎐로 흘려서 솔레노이드에 발생하는 자장이 세기와 방향이 주기적으로 변화하여 재료(1)가 받는 자장의 세기와 방향을 주기적으로 변화를 주면서 열처리하여 비정질 금속리본의 자기 이방성을 미세하게 분산시켜 투자율을 개선시키는 것을 특징으로 하는 비정질 금속 열처리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.

발명자의 다른 특허 :

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