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연합인증

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이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

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TIC계서 메트의 특성 개선 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • B22F-007/00
  • C22C-029/10
출원번호 10-1988-0005582 (1988-05-13)
공개번호 10-1989-0017026 (1989-12-14)
공고번호 10-0041407-0000 (1991-02-23)
등록번호 10-0041407-0000 (1991-04-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1019880005582
발명자 / 주소
  • 은광용 / 서울시강동구성내*동***-*,미주아파트*동***호
  • 전동일 / 서울시성북구종암동**-**
  • 김도연 / 서울시동대문구장안*동현대아파트**-***
출원인 / 주소
  • 한국과학기술원 / 대전 유성구 구성동 ***-*
대리인 / 주소
  • 김성택; 장수길 (KIM, Seong Taik)
  • 서울 강남구 논현동 ***번지 제우빌딩 *층(박장원특허법률사무소); 서울 종로구 내자동 세양빌딩 (김.장법률사무소)
심사청구여부 있음 (1988-05-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 TiC계 서멧에서 용침 방법에 의해 잔류 미세 기공을 제거하고,TiC 입자의 조대화를 억제하여 서멧의 항절력을 향상시키는 방법에 관한 것이다.통상적으로 TiC계 서멧은 진공중에서 액상 소결하여 제조하는데 이때 미세 기공이 잔류되어 항절력 저하의 요인이 되어 왔다. 또 미세 기공 제거에는 통상적으로 HIP 공정이 이용되는데 장치가 고가이고 운영비가 많이 들어 원가 상승의 원인이 되므로 해결책이 필요하다.TiC계 서멧 제조 방법은 60-70 TiC-10-20%Mo2C-5% Ni 또는 60% TiC-20% Mo2C-5%(Ni-

대표청구항

Tic계 서메트(cermet)를 제조함에 있어서, TiC소결체상 또는 성형체상의 금속 결합상을 용침시키는 것이 특징인 TiC계 서메트의 특성 개선 방법.

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