초록 ▼

[목적]매우 낮은 Ti, Ta 및 Nb 함량을 지니면서 매우 엄격하게 조절된 탄소 함량을 지니는 조대 결정 WC 분말을 제공하기 위해서 조절될 수 있는 WC 분말제조를 위한 공정으로, 조대 결정 텅스텐 모노카바이드 분말을 제조하는 방법 및 그로부터 제조된 분말을 제공하기 위한 것이다.[구성]회소한 55W//O의 텅스텐, 0.03W/O 이하의 Ti, Ta 및 Nb를 함유하는 텅스텐 광석 농축물의 혼합물, 칼슘 카바이드, 금속알루미늄, 장입물 내의 텅스텐 킬로그램당 0.43킬로그램까지의 철 산화물, 장입물 내의 텅스텐 킬로그램당 0.0

[목적]매우 낮은 Ti, Ta 및 Nb 함량을 지니면서 매우 엄격하게 조절된 탄소 함량을 지니는 조대 결정 WC 분말을 제공하기 위해서 조절될 수 있는 WC 분말제조를 위한 공정으로, 조대 결정 텅스텐 모노카바이드 분말을 제조하는 방법 및 그로부터 제조된 분말을 제공하기 위한 것이다.[구성]회소한 55W//O의 텅스텐, 0.03W/O 이하의 Ti, Ta 및 Nb를 함유하는 텅스텐 광석 농축물의 혼합물, 칼슘 카바이드, 금속알루미늄, 장입물 내의 텅스텐 킬로그램당 0.43킬로그램까지의 철 산화물, 장입물 내의 텅스텐 킬로그램당 0.04 내지 0.31 킬로그램의 금속 철로 구성된 반응 장입물을 점화시에 약 4372 내지 약 4500 화씨 온도의 장입물내의 계산된 작용 온도를 발생시키도록 자기 억제 발열 반응 및 반응 말기에 환원 조건을 제공하는 잔류 칼슘 카바이드 및 금속 알루미늄을 함유하는 결정 텅스텐 모노카바이드를 생성하도록 그 비율을 조정하고 제 1부분의 킬른 내의 장입물을 배치 및 점화하고 연속적이고 실제로 완만한 반응을 지속하도록 반응 장입물의 나머지를 어떤 속도로 킬른에 점진적으로 공급하고 반응물의 슬래그 생성물로부터 결정물을 분리하고 결정물로부터 결정성 텅스텐 모노 카바이드를 회수한다.[효과]매우 낮은 농도의 공요체 카바이드 상만을 함유하는 고순도의 조대 결정 텅스텐 모노카바이드 분말이 제조된다.

대표청구항 ▼

최소한 55 w/o의 턴스텐을 함유하는 텅스텐 광석 농축물의 혼합물로부터 조대한 결정의 텅스텐 모노카바이드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 텅스텐 광석 농축물의 혼합물, 장입물내의 텅스텐 kg당 0.43kg까지의 금속알루미늄, 칼슘 카바이드 및 장입물내의 텅스텐 kg당 0.04 내지 0.31kg의 금속철을 제공하는 단계, 상기 반응 장입물의 제1부분을 킬튼내에 배치하고 상기 반응 장입물을 점화하는 단계, 상기 반응 장입물의 나머지를 킬튼에 점진적으로 공급하는 단계, 상기 반응의 슬래그 생성물로부터 결정물을 분리하는 단계, 상기결정물

최소한 55 w/o의 턴스텐을 함유하는 텅스텐 광석 농축물의 혼합물로부터 조대한 결정의 텅스텐 모노카바이드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 텅스텐 광석 농축물의 혼합물, 장입물내의 텅스텐 kg당 0.43kg까지의 금속알루미늄, 칼슘 카바이드 및 장입물내의 텅스텐 kg당 0.04 내지 0.31kg의 금속철을 제공하는 단계, 상기 반응 장입물의 제1부분을 킬튼내에 배치하고 상기 반응 장입물을 점화하는 단계, 상기 반응 장입물의 나머지를 킬튼에 점진적으로 공급하는 단계, 상기 반응의 슬래그 생성물로부터 결정물을 분리하는 단계, 상기결정물로부터 결정 텅스텐 모노카바이드를 회수하는 단계로 구성되어, 상기 반응 장입물은 반응 말기에 환원조건을 제공하는 잔류 칼슘 카바이드 및 금속 알루미늄을 함유하는 결정 텅스텐 모노카바이드의 결정물의 생성과 함께 약 4372 내지 4500℉의 장입물내의 계산된 작용 온도를 발생시키도록 자기 억제 발열반응을 제공하도록 분할되는 조대한 결정의 텅스텐 모노카바이드 제조방법.제1항에 있어서, 광석 농축물의 상기 혼합물이 최소한 57 w/o의 텅스텐을 함유하는 방법제1항에 있어서, 상기 금속철이 때로 텅스텐 합금에 의해 제공되는 방법.제1항에 있어서, 각기 0.03 w/o 미만의 Ti, Ta 및 Nb를 함유하는 다수의 텅스텐 광석 농축물을 혼합함으로써 상기 텅스텐 광석 농축물의 혼합물을 형성하는 단계를 포함하는 방법제1항에 있어서, 각기 55 w/o 이상의 W 및 0.03 w/o 미만의 Ti, Ta 및 Nb를 함유하는 다수의 텅스텐 광석 농축물을 혼합함으로써 상기 텅스텐 광석 농축물의 혼합물을 형성하는 단계를 포함하는 방법.제1항에 있어서, 철 망간 중석과 회중석 농축물을 혼합함으로써 텅스텐 광석 농축물의 상기 혼합물을 형성하는 방법.제6항에 있어서, 각각의 상기 철 망간 중석 및 회중석 농축물이 55 w/o 이상의 텅스텐을 함유하는 방법.제6항에 있어서, 각각의 상기 철 망간 중석 및 회중석이 0.03 w/o 미만의 Ti, Nb 및 Ta를 함유하는 방법.알루미노 테트밋법에 의해 결정 텅스텐 모노카바이드 제조방법에 있어서, 금곳 알루미늄 철 산화물 및 칼슘 카바이드인 히터(heater) 장입물을 제공하는 단계, 최소한 55 w/o의 텅스텐, 칼슘 카바이드, 금속 알루미늄, 장입물내의 텅스텐 kg당 0.04 내지 0.31kg의 철의 비율의 금속철을 함유하는 텅스텐 소스의 혼합물인 반응 장입물을 제공하는 단계, 상기 히터 장입물을 킬튼내에 배치 및 점화하는 단계, 반응말기에 환원 조건을 제공할 양의 금속 알루미늄 및 잔류 칼슘 카바이드를 함유하는 텅스텐 모노카바이드의 결정질의 생성과 함께 약 4372 내지 약 4500℉의 계산된 작용 온도를 발생시키도록 점화된 히터 장입물을 담고 있는 킬튼에 상기 반응 장입물을 점진적으로 공급하는 단계, 상기 반응의 슬래그 생성물로부터 상기 결정물을 분리하는 단계, 상기 결정물로부터 결정 텅스텐 모노카바이드를 회수하는 단계로 구성되는 결정 텅스텐 모노카바이드 제조방법.0.03 w/o 이하의 Ti, Ta 및 Nb를 지니고 6.14 내지 6.16 w/o 범위의 총 탄소 함량을 지니고 조대 결정 텅스텐 모노카바이드 분말을 필수적으로 포함하며, 조대 결정 텅스텐 모노카바이드 분말은 텅스텐 광석 농축물을 탄소 소스 및 금속 알루미늄과 알루미노 테르밋 반응으로 반응시켜 생성되어, 상기 알루미노 테르밋 반응은 조절된 양의 금속철을 상기 알루미노 테르밋 반응물에 부가함으로써 약 4372 내지 4500℉ 사이의 계산된 알루미노 테르밋 반응온도를 제어하는 단계를 포함하는 텅스텐 카바이드 분말 로트(lot).제10항에 있어서, 최소한 대부분의 상기 결정 입자들이 중량으로 치수가 37미크론 이상인 텅스텐 카바이드 분말로트.텅스텐 광석 농축물을 탄소 소스 및 금속 알루미늄과 반응시킴으로써 조대결정 WC를 제조하는 알루미노 테르밋 방법에 있어서, 그 개량점이 반응 장입물내에 조절된 양의 금속철을 부가함으로써 약 4372 내지 4500℉의 계산된 반응 온도 범위를 조절하는 단계를 포함하는 알루미노 테르밋 반응법.제12항에 있어서, 부가되는 금속철의 양이 반응 장입물내의 텅스텐 kg당 약 0.04 내지 0.31kg으로 한정되는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.