초록 ▼

[목적]센서,전류제한기나 돌입전류 억제기 등의 기능소자에 이용 하는 반도체 자기 조성물,특히 SrO,PbO 및 TiO2를 주성분 으로 하고,정의 저항온도계수를 갖는 PTC특성,부의 저항 온도계수를 갖는 NTC특성,정부의 저항온도계수를 갖는 소위 V자형 PTC특성,임의의 온도 영역에서 저항이 급격히 감소하는CTR특성을 지니고 있는 반도체 자기 조성물을 제공한다.[구성]조성물은 SrO를 기준으로 하여 Sr 0.05-0.95몰,PbO를 기준 으로하여 Pb 0.050-0.85몰,TiO2를 기준으로 하여 Ti 0.90- 2.0몰 및 R의 산

[목적]센서,전류제한기나 돌입전류 억제기 등의 기능소자에 이용 하는 반도체 자기 조성물,특히 SrO,PbO 및 TiO2를 주성분 으로 하고,정의 저항온도계수를 갖는 PTC특성,부의 저항 온도계수를 갖는 NTC특성,정부의 저항온도계수를 갖는 소위 V자형 PTC특성,임의의 온도 영역에서 저항이 급격히 감소하는CTR특성을 지니고 있는 반도체 자기 조성물을 제공한다.[구성]조성물은 SrO를 기준으로 하여 Sr 0.05-0.95몰,PbO를 기준 으로하여 Pb 0.050-0.85몰,TiO2를 기준으로 하여 Ti 0.90- 2.0몰 및 R의 산화물을 기준으로하여 R 0.001-0.3몰을 구성 한다. R은 희토류 원소 Bi,V,W,Ta,Nb 및 Sb로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질이다. Ce,Bi 및 Sb를 제외한 희토류 원소의 양은 1/2(R2O3)를 기준으로 하며,V,T/a 및 Nb의 양은 1/2(R2O5)를 기준으로 하고,Ce 및 W의 양은 RO2 및 RO3를 각각 기준으로 한다. 조성물은 산화성 분위기에서 소성처리된다.[효과]소정의 PTC특성,V자형 PTC특성,NTC특성,또는 CTR 특성을 갖는 자기를 제공하며,TiO2를 증가키겨 저항온도 특성의 기울기를 크게 변화시키이 없이 조성물의 비저항을 낮은 레벨 에서 높은 베렐까지 조절할 수 있으며,결국 다양한 저항치 의 요구를 충족할 수 있는 자기 소자를 제조 할 수 있다.

대표청구항 ▼

SrO를 기준으로 하여 0.05~0.95몰의 Sr,PbO를 기준으로 하여 0.05~0185몰의 Pb,TiO₂를 기준으로하여 0.90~2.0몰의 Ti 및 R의 산화물을 기준으로 하여 0.001~0.3몰의 R을 구성하며, R이 회토류 원소, Bi,V,W,Ta,Nb 및 Sb로 구성되는 군으로 부터 선택한 적어도 하나의 물질이며, Ce,Bi,Sb를 제외한 회토류 원소의 양은 1/2(R₂O₃)를 기준으로 하며, V,Ta 및 W의 양은 1/2(R2O5)를 기준으로 하며, Ce 및 W의 양은 각기 RO₂및 RO₃를 기준으로 하고 산화성 분위기에

SrO를 기준으로 하여 0.05~0.95몰의 Sr,PbO를 기준으로 하여 0.05~0185몰의 Pb,TiO₂를 기준으로하여 0.90~2.0몰의 Ti 및 R의 산화물을 기준으로 하여 0.001~0.3몰의 R을 구성하며, R이 회토류 원소, Bi,V,W,Ta,Nb 및 Sb로 구성되는 군으로 부터 선택한 적어도 하나의 물질이며, Ce,Bi,Sb를 제외한 회토류 원소의 양은 1/2(R₂O₃)를 기준으로 하며, V,Ta 및 W의 양은 1/2(R2O5)를 기준으로 하며, Ce 및 W의 양은 각기 RO₂및 RO₃를 기준으로 하고 산화성 분위기에서 소성처리하는 반도체 자기조성물.