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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1989-0015523 (1989-10-27) |
공개번호 | 10-1990-0007188 (1990-05-09) |
공고번호 | 10-0068668-0000 (1993-06-23) |
등록번호 | 10-0068668-0000 (1993-12-13) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019890015523 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1989-10-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
입력되는 신호의 모든 조합에 대해서 입력 드레시홀드 전압을 일정한 전압에 세트하므로써, 오동작이 효과적으로 방지된다.고전압 소스 라인(Vcc), 출력단자(Vout), 저전압 소스 라인(Vss), 고 전압 소스 라인과 단자 사이에 연결된 부하 소자, 및 다수의 직렬로 연결된 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 이 구동 트랜지스터의 최소한 하나는 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 상이한 구동 작용을 갖는다. 구동 트랜지스터는 출력단자에 가장 가깝게 배열된 제1 트랜지스터로 구성되며, 이
NAND게이트회로에 있어서, 고전압 소스 라인; 출력단자; 저전압 소스 라인; 상기 고전압 소스 라인과 상기 출력단자 사이에 연결된 부하 소자; 및 다수의 직렬고 연결된 구동 트랜지스터를 포함하며, 상기 출력 단자와 상기 저전압 소스 라인 사이에 연결된 구동회로로 구성되며, 상기 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 구동 트랜지스터의 최소한 하나가 상기 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 다른 구동 작용을 갖는 것을 특징으로 하는 NAND게이트 회로.
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