초록 ▼

입력되는 신호의 모든 조합에 대해서 입력 드레시홀드 전압을 일정한 전압에 세트하므로써, 오동작이 효과적으로 방지된다.고전압 소스 라인(Vcc), 출력단자(Vout), 저전압 소스 라인(Vss), 고 전압 소스 라인과 단자 사이에 연결된 부하 소자, 및 다수의 직렬로 연결된 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 이 구동 트랜지스터의 최소한 하나는 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 상이한 구동 작용을 갖는다. 구동 트랜지스터는 출력단자에 가장 가깝게 배열된 제1 트랜지스터로 구성되며, 이

입력되는 신호의 모든 조합에 대해서 입력 드레시홀드 전압을 일정한 전압에 세트하므로써, 오동작이 효과적으로 방지된다.고전압 소스 라인(Vcc), 출력단자(Vout), 저전압 소스 라인(Vss), 고 전압 소스 라인과 단자 사이에 연결된 부하 소자, 및 다수의 직렬로 연결된 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 이 구동 트랜지스터의 최소한 하나는 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 상이한 구동 작용을 갖는다. 구동 트랜지스터는 출력단자에 가장 가깝게 배열된 제1 트랜지스터로 구성되며, 이 제1 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 가장 높은 구동작용을 갖는다. 구동 트랜지스터는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터로 구성되며, 출력 단자에 가장 가깝게 배열된 제1 트랜지스터가 제2 트랜지스터 보다 더 높은 구동 작용을 갖는다. 구동회로를 구성하는 모든 구동 트랜지스터가 상이한 구동 작용을 갖는다. 출력 단자에 가장 가깝게 배열된 구동 트랜지스터가 더 높은 구동 작용을 갖는다.

대표청구항

NAND게이트회로에 있어서, 고전압 소스 라인; 출력단자; 저전압 소스 라인; 상기 고전압 소스 라인과 상기 출력단자 사이에 연결된 부하 소자; 및 다수의 직렬고 연결된 구동 트랜지스터를 포함하며, 상기 출력 단자와 상기 저전압 소스 라인 사이에 연결된 구동회로로 구성되며, 상기 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 구동 트랜지스터의 최소한 하나가 상기 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 다른 구동 작용을 갖는 것을 특징으로 하는 NAND게이트 회로.

NAND게이트회로에 있어서, 고전압 소스 라인; 출력단자; 저전압 소스 라인; 상기 고전압 소스 라인과 상기 출력단자 사이에 연결된 부하 소자; 및 다수의 직렬고 연결된 구동 트랜지스터를 포함하며, 상기 출력 단자와 상기 저전압 소스 라인 사이에 연결된 구동회로로 구성되며, 상기 구동 트랜지스터는 각 게이트에 가해지는 입력 신호에 의해서 제어되고, 구동 트랜지스터의 최소한 하나가 상기 구동 회로를 구성하는 다른 구동 트랜지스터의 것과 다른 구동 작용을 갖는 것을 특징으로 하는 NAND게이트 회로.