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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1990-0014976 (1990-09-21) |
| 공개번호 | 10-1991-0006144 (1991-04-27) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019900014976 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1995-04-10) |
| 심사진행상태 | 포기(등록료 미납) |
| 법적상태 | 포기 |
[구성]포스핀, 황화수소, 비소, 디실록산 및 다량의 실록산같은 불순물과 모노실란, 디실란으로 이루어진 원료 기체를 디실록산만 제외한 silicium계 화합물을 분리하여 포스핀, 황화수소 및 비소로 구성된 불순물을 거의 제거하여 디실란을 제조하는데 있어서, 분자체를 사용하여 선택적 흡착으로 디실란을 정제하는데 이때 설 록산과 황화수소 제거에는 분자체 타입3A를 사용하고 포스핀 및 비소 제거에는 분자체 타입4A를 사용하는 것을 특징으로 하는 디실란의 제조방법.
포스핀, 황화수소, 비소, 디실록산 및 다량의 실록산같은 불순물과 모노실란, 디실란으로 이루어진 원료 기체를 디실록산만 제외한silicium계 화합물을 분리하여 포스핀, 황화수소 및 비소로 구성된 불순물을 거의 제거하여 디실란을 제조하는데 있어서, 분자체를 사용하여 선택적 흡착으로 디실란을 정제하는데 이때 실록산과 황화수소제거에는 분자체 타입 3A를 사용하고 포스핀 및 비소 제거에는 분자체 타입 4A를 사용하는 것을 특징으로 하는 디실란의 제조방법.
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