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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1991-0002485 (1991-02-13) |
공개번호 | 10-1992-0017266 (1992-09-26) |
공고번호 | 10-0071252-0000 (1993-10-14) |
등록번호 | 10-0071252-0000 (1994-02-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019910002485 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1991-02-13) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 고집적 반도체 소자중 CMOS 제조 방법에 관한 것으로 특히, 공정 단계를 간단하게 줄여서 소자의 신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있는 CMOS 제조 방법에 관한 것이다.종래 기술은 공정 단계와 마스크 공정을 여러번 반복 진행하여야 한다. 따라서 격리 마스크를 이용하여 웰영역 및 필드 산화막을 한번에 형성하는 방식과 CMOS 구조의 형성을 위해 이중 격리 식각/이중 필드 산화 공정을 실시하는 CMOS 제조 방법을 제공하고자 한다.CMOS는 실리콘 기판 상부에 패드 산화막, 실리콘 질화막 및 감광막을 형성한 후,N형 격리 마
실리콘 기판에 CMOS를 제조하기 위하여 N-웰 및 P-웰을 형성하고 필드산화막을 형성하는 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 패드산화막, 실리콘 질화막 및 감광막을 형성한 다음 N형 ISO마스크를 이용하여 N웰영역에서 필드산화막이 형성될 부분의 감광막을 제거한 다음, 그 하부 노출되는 실리콘 질화막을 식각하는 단계와, 이온주입 공정으로 노출된 패스산화막을 통해 실리콘 기판에 N형 불순물을 주입하고 주입된 불순물을 고온에서 장시간 실리콘 기판 내부로 드라이브 인 시켜 N-웰을 형성하는 단계와, 노출된 N-웰 영역의 패드산화막 상
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