초록 ▼

본 발명은 후면 전극 형성시 나타나는 Ag/Aℓ 고용을 방지하기에 적당하도록 한 단결정 실리콘 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로 기존에는 알루미늄 BAF층 위에 은 후면 전극을 형성할 때 온도가 570℃이상 높아지면 BSF층을 형성하기 위한 알루미늄이 Ag에 녹아들어가면서 후면 전극 표면을 덮어버려 납땜을 할 수 없었으나 본 발명에서는 BSF용 스크린 패턴에 세로로 간격(1)을 형성하고 후면 전극용 스크린 패턴은 가로로 가는 그리드(3)와 세로로 굵은 그리드(2)를 형성하여 굵은 그리드가 닿는 부분에는 알루미늄 페이스트가 인쇄되지

본 발명은 후면 전극 형성시 나타나는 Ag/Aℓ 고용을 방지하기에 적당하도록 한 단결정 실리콘 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로 기존에는 알루미늄 BAF층 위에 은 후면 전극을 형성할 때 온도가 570℃이상 높아지면 BSF층을 형성하기 위한 알루미늄이 Ag에 녹아들어가면서 후면 전극 표면을 덮어버려 납땜을 할 수 없었으나 본 발명에서는 BSF용 스크린 패턴에 세로로 간격(1)을 형성하고 후면 전극용 스크린 패턴은 가로로 가는 그리드(3)와 세로로 굵은 그리드(2)를 형성하여 굵은 그리드가 닿는 부분에는 알루미늄 페이스트가 인쇄되지 않게 함과 아룰러 가는 그리(3)는 알루미늄과 직접 접하게 하는 방법에 의하여 문제를 해결할 수 있다.

대표청구항

BSF용 스크린 패턴에 세로로 간격(1)을 형성하고 후면 전극용 스크린 패턴은 가로로 가는 그리드(2)와 세로로 굵은 그리드(3)를 형성하여 상기 BSF용 스크린 패턴위에 후면 전극용 스크린 패턴을 우치시킬 때 굵은 그리드(2_가 닿는 부분에는 알루미늄 페이스트가 인쇄되지 않게 함과 아울러 가는 그리드(3)는 알루미늄과 직접 접하게 하는 단결정 실리콘 태양 전지의 제조방법.

BSF용 스크린 패턴에 세로로 간격(1)을 형성하고 후면 전극용 스크린 패턴은 가로로 가는 그리드(2)와 세로로 굵은 그리드(3)를 형성하여 상기 BSF용 스크린 패턴위에 후면 전극용 스크린 패턴을 우치시킬 때 굵은 그리드(2_가 닿는 부분에는 알루미늄 페이스트가 인쇄되지 않게 함과 아울러 가는 그리드(3)는 알루미늄과 직접 접하게 하는 단결정 실리콘 태양 전지의 제조방법.