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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1992-0018406 (1992-10-07) |
공개번호 | 10-1994-0010481 (1994-05-26) |
공고번호 | 10-0084566-0000 (1994-11-22) |
등록번호 | 10-0084566-0000 (1995-05-06) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019920018406 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1992-10-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 특히 듀티(duty)비조절이 용이한 저주파 파형 발진기에 있어서, 정 전류원에 의해 커패시터를 충전하고 방전 제어 신호에 따라 방전하는 충방전 회로, 상기 커패시터의 양단 전압을 기준 전압과 비교하는 비교 회로, 상기 비교 회로의 출력 상태에 따라 트리거되어 방전 제어 신호를 제공하는 단안성 멀티바이브레이터를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.따라서, 상기한 본 발명의 방법에 의하면 PNP트랜지스터로 이루어진 하나의 정전류원에 의하여 충전주기가 결정되고, 단안정 멀티바이브레이터의 RC시
정 전류원에 의해 커패시터를 충전하고 방전 제어 신호에 따라 방전하는 충방전 회로, 상기 커패시터의 양단전압을 기준 전압과 비교하는 비교 회로, 상기 비교 회로의 출력 상태에 따라 트리거되어 방전 제어 신호를 제공하는 단안정 멀티 바이브레이터를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저주파 발진 회로.
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