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저압 수은방 전 램프 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01J-061/067
출원번호 10-1993-0000042 (1993-01-04)
공개번호 10-1993-0017075 (1993-08-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1019930000042
발명자 / 주소
  • 게라르두스헨드리쿠스안토니우스빌헬무스반데르린덴 / 네델란드,아인드호펜,그로네보드세베그*
  • 아드리안얀드리데르 / 네델란드,루센달,즈반호에프스트라트*
  • 브루노마리아예안스메트스 / 네델란드,아인드호펜,그로네보드세베그*
출원인 / 주소
  • 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. / 네델란드왕국, 아인드호펜, 그로네보드스베그 *
대리인 / 주소
  • 이병호 (LEE, Byong Ho)
  • 서울 종로구 수송동 ** 번지코리안리빌딩*층(법무법인중앙)
심사청구여부 있음 (1997-11-06)
심사진행상태 포기(등록료 미납)
법적상태 포기

초록 ▼

본 발명은 수은과 희가스를 함유한 가스 충전물을 가진 내가스 구조의 방사선-투과 방전관과, 590 내지 630nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제2발광체를 가진 발광층이 제공되며, 세개의 스펙트럼 영역안에서 최대 방출량을 갖는 저압 수은 방전 램프에 관한 것이다.본 발명에 따라 상기 제2발광체가 다음식, Sr(2-X-Y)BaXSiO4 : Euy+2, 이때 0.2≤x≤1.4이고, 0.005≤y≤0.05

대표청구항 ▼

수은과 희가스를 함유한 가스 충전물을 가진 내가스 구조의 방사선-투과 방전관과, 590 내지 630nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제2발광체를 가진 발광층이 제공되며, 세개의 스펙트럼 영역안에서 최대 방출량을 갖는 저압 수은 방전 램프에 관한 것이다.본 발명에 따라 상기 제2발광체가 다음식, Sr(2-X-Y)BaXSiO4 : Euy+2, 이때 0.2≤x≤1.4이고, 0.005≤y≤0.05에 의해 한정

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 형광체 | 무라까미가쓰오, 안자이요시노리, 오오다니미쓰오끼, 이도우히로시
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