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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1993-0000042 (1993-01-04) |
공개번호 | 10-1993-0017075 (1993-08-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019930000042 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1997-11-06) |
심사진행상태 | 포기(등록료 미납) |
법적상태 | 포기 |
본 발명은 수은과 희가스를 함유한 가스 충전물을 가진 내가스 구조의 방사선-투과 방전관과, 590 내지 630nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제2발광체를 가진 발광층이 제공되며, 세개의 스펙트럼 영역안에서 최대 방출량을 갖는 저압 수은 방전 램프에 관한 것이다.본 발명에 따라 상기 제2발광체가 다음식, Sr(2-X-Y)BaXSiO4 : Euy+2, 이때 0.2≤x≤1.4이고, 0.005≤y≤0.05
수은과 희가스를 함유한 가스 충전물을 가진 내가스 구조의 방사선-투과 방전관과, 590 내지 630nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제1발광체 및 520 내지 565nm영역안에서 최대 방출량을 가진 제2발광체를 가진 발광층이 제공되며, 세개의 스펙트럼 영역안에서 최대 방출량을 갖는 저압 수은 방전 램프에 관한 것이다.본 발명에 따라 상기 제2발광체가 다음식, Sr(2-X-Y)BaXSiO4 : Euy+2, 이때 0.2≤x≤1.4이고, 0.005≤y≤0.05에 의해 한정
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