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연합인증

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저 반사매트릭스 블랭크 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G02F-001/133
출원번호 10-1993-0011867 (1993-06-28)
공개번호 10-1995-0001345 (1995-01-03)
등록번호 10-0264217-0000 (2000-05-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1019930011867
발명자 / 주소
  • 이윤석 / 경상북도구미시시미동***번지
출원인 / 주소
  • 삼성코닝 주식회사 / 경기도 수원시 영통구 이의동 ***-**
대리인 / 주소
  • 김원호; 유미특허법인 (YOU ME Patent & Law Firm KIM, Won Ho)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 서림빌딩**층(유미특허법인); 서울특별시 강남구 역삼동 ***-** 서림빌딩**층(유미특허법인)
심사청구여부 있음 (1998-04-08)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 칼라필터용 저반사 매트릭스 블랭크 제조방법에 관한 것으로 투명 유리기판과 차광막 사이에 증착시키는 산화크롬막을 금속 크롬과 크롬 산화물의 혼합물 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링법으로 형성시키므로써 기존의 반응성 스퍼터링에 비해 성막속도 및 막두께 균일성을 향상시킬 수 있고, 또한 반응성 가스(산소)를 도입, 벤트(Vent)시키기 위해서 소요되어지는 시간을 생략하고 동일 챔버내에서 산화물 타겟과 금속 타겟을 근접하게 설치할 수 있게 되어 인 라인(In Line) 스퍼터에서 모터속도 조절에 의해 간단하게 이중막 생성을 할 수

대표청구항

금속 크롬분말과 산화크롬 분말을 1:1로 혼합·성형·소결하여 타겟을 형성하는 공정과, 상기 두 분말의 혼합비를 얻고자 하는 산화막의 조성에 따라 변화시켜 금속분말이 타겟 전체에 걸쳐서 서로 연결되도록 한 뒤 DC 마그네트론 스퍼터 또는 RF 스퍼터를 이용하여 기판상에 산화막을 형성하는 공정과, 상기 산화막상에 스퍼터링법으로 크롬막을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 저반사 매트릭스 블랭크 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

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