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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1994-0032508 (1994-12-02) |
공개번호 | 10-1996-0026381 (1996-07-22) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019940032508 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1994-12-02) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 소자의 금속증착 방법에 관한 것으로서, 특히 감광막의 형태를 Single Step Lift-off 제조 공정에 적합하도록 공정한 반도체 소자의 금속증착 방법에 관한 것이다.본 발명은 유리기판 상에 감광막을 도포하는 공정과, 상기 감광막의 표면을 현상액 처리하는 공정과, 현상액 처리된 감광막을 노관 및 현상하여 언더컷 현상으로 감광막을 패턴하는 공정과, 상기 전면에 불연속적으로 금속을 증착하는 공정과, Lift-off법으로 감광막을 제거하여 금속패턴을 형성하는 공정을 포함한다.상기와 같은 본 발명은 감광막의 노광이전
유리기판(1) 상에 감광막(2)을 도포하는 공정과, 상기 감광막(2)의 표면을 현상액 처리하는 공정과, 현상액 처리된 감광막을 노광 및 현상하여 언더컷 현상으로 감광막을 패턴하는 공정과, 상기 전면에 불연속적으로 금속(5)을 증착하는 공정과, Lift-off법으로 감광막을 제거하여 금속패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속증착 방법.
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