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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1994-0035690 (1994-12-21) |
공개번호 | 10-1996-0022712 (1996-07-18) |
등록번호 | 10-0140651-0000 (1998-03-13) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019940035690 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1994-12-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 확산 공정의 일종인 포클 도핑 (pocl3 doping) 후 폴리 실리콘(Poly silicon)의 표면에 생성된 P2O5층을 화학 약품을 이용하여 제거하는 디글레이즈(deglaze) 방법에 관한 것으로, 특히 폴리 실리콘위의 화학약품 찌꺼기(chemical residue)를 제거하여 마스크 작업시 나타나는 현상(develop) 불량을 예방함으로써 디바이스의 수율 향상에 기여하도록 한 것인 바, 이러한 본 발명은 디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물
디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물 찌꺼기를 제거하기 위한 베이크 처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘 디글레이즈 방법.
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