초록 ▼

본 발명은 확산 공정의 일종인 포클 도핑 (pocl3 doping) 후 폴리 실리콘(Poly silicon)의 표면에 생성된 P2O5층을 화학 약품을 이용하여 제거하는 디글레이즈(deglaze) 방법에 관한 것으로, 특히 폴리 실리콘위의 화학약품 찌꺼기(chemical residue)를 제거하여 마스크 작업시 나타나는 현상(develop) 불량을 예방함으로써 디바이스의 수율 향상에 기여하도록 한 것인 바, 이러한 본 발명은 디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물

본 발명은 확산 공정의 일종인 포클 도핑 (pocl3 doping) 후 폴리 실리콘(Poly silicon)의 표면에 생성된 P2O5층을 화학 약품을 이용하여 제거하는 디글레이즈(deglaze) 방법에 관한 것으로, 특히 폴리 실리콘위의 화학약품 찌꺼기(chemical residue)를 제거하여 마스크 작업시 나타나는 현상(develop) 불량을 예방함으로써 디바이스의 수율 향상에 기여하도록 한 것인 바, 이러한 본 발명은 디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물 찌꺼기를 제거하기 위한 베이크 처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하고 있으며, 상기 베이크 처리 공정은 처리로내에 작업 웨이퍼를 투입하는 단계, 제1베이크 단계, 제2베이크 단계 및 작업된 웨이퍼를 취출하는 단계로 이루어진다. 또한, 상기 제1베이크 단계와 제2베이크 단계는 자연 산화막의 성장 억제를 위해 진공 분위기하에서 진행된다.

대표청구항

디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물 찌꺼기를 제거하기 위한 베이크 처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘 디글레이즈 방법.

디글레이즈를 실시하는 통상의 화학 용액 처리 공정 후, 화학 용액 처리시 폴리 실리콘 표면에 잔존하는 화학물 찌꺼기를 제거하기 위한 베이크 처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘 디글레이즈 방법.