초록 ▼

본 발명은 대기나 반도체 소자 제조 장치에서의 불순물 오염도를 측정하는 오염도 측정방법에 관한 것으로, 특히 화학증폭형 감광제의 페드(PED:Post Expose Delay) 현상으로 생성되는 불용층이 현상액에 잘 용해되지 않는 성질을 이용하여 불순물 오염도를 감광제 막 두께변화로 측정하는 불순물 오염도 측정방법에 관한 것이며, 웨이퍼상에 화학증폭형 감광제를 도포한 후, 감광제의 일부만을 마스크 없이 플러드 노광을 하고, 노광된 웨이퍼를 불순물 오염도를 측정하고자 하는 위치에 방치시킨 상태에서 불용층이 형성되게 하고, 현상용액으로

본 발명은 대기나 반도체 소자 제조 장치에서의 불순물 오염도를 측정하는 오염도 측정방법에 관한 것으로, 특히 화학증폭형 감광제의 페드(PED:Post Expose Delay) 현상으로 생성되는 불용층이 현상액에 잘 용해되지 않는 성질을 이용하여 불순물 오염도를 감광제 막 두께변화로 측정하는 불순물 오염도 측정방법에 관한 것이며, 웨이퍼상에 화학증폭형 감광제를 도포한 후, 감광제의 일부만을 마스크 없이 플러드 노광을 하고, 노광된 웨이퍼를 불순물 오염도를 측정하고자 하는 위치에 방치시킨 상태에서 불용층이 형성되게 하고, 현상용액으로 현상을 하게 되면, 불용층이 형성된 감광제 영역과 형성되지 않은 비 노광영역간의 두께 차이로 불순물 오염도의 지표로 활용함으로써 불순물의 오염도를 빠르고 손쉽게 측정할 수 있게 한 방법이다.

대표청구항

불순물 오염도 측정하는 방법에 있어서, 웨이퍼상에 감광제를 도포하는 단계와, 상기 감광제의 일부를 마스크 없이 노광을 하는 단계와, 노광된 웨이퍼를 불순물 오염도를 측정하고자 하는 위치에 일정시간 보관하여 감광제의 노광영역에 불용층이 형성되게 하는 단계와, 상기 웨이퍼를 현상용액으로 현상하는 단계와, 노광영역과 비노광영역간에 두께를 측정하는 단계를 포함하여 상기 두께차를 분석하여 불순물의 오염도를 측정하는 것을 특징으로 하는 불순물의 오염도 측정방법.

불순물 오염도 측정하는 방법에 있어서, 웨이퍼상에 감광제를 도포하는 단계와, 상기 감광제의 일부를 마스크 없이 노광을 하는 단계와, 노광된 웨이퍼를 불순물 오염도를 측정하고자 하는 위치에 일정시간 보관하여 감광제의 노광영역에 불용층이 형성되게 하는 단계와, 상기 웨이퍼를 현상용액으로 현상하는 단계와, 노광영역과 비노광영역간에 두께를 측정하는 단계를 포함하여 상기 두께차를 분석하여 불순물의 오염도를 측정하는 것을 특징으로 하는 불순물의 오염도 측정방법.