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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0008662 (1995-04-13) |
공개번호 | 10-1996-0039287 (1996-11-25) |
등록번호 | 10-0147675-0000 (1998-05-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950008662 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1995-04-13) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체장치 제조시의 알루미늄합금막 식각방법에 관한 것으로, Al-Si-Cu합금막의 건식식각시 발생하는 Cu, Si등의 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 건식식각방법을 이용하여 알루미늄합금막을 식각하는 방법에 있어서, BCl3+Cl2가스를 이용한 건식식각하는 제1식각단계와 As 또는 As+XeF2가스를 이용한 스퍼터링에 의해 식각하는 제2식각단계를 병행하여 상기 알루미늄합금막을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 알루미늄합금막 식각방법을 제공한다.
건식식각방법을 이용하여 알루미늄합금막을 식각하는 방법에 있어서, BCl3+Cl2가스를 이용한 건식식각하는 제1식각단계와 As 또는 As+XeF2가스를 이용한 스퍼터링에 의해 식각하는 제2식각단계를 병행하여 상기 알루미늄합금막을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조시의 알루미늄합금막 식각방법.
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