[특허]분포 귀환형 레이저다이오드의 제조방법

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분포 귀환형 레이저다이오드의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)	H01S-005/12
출원번호	10-1995-0019652 (1995-06-30)
공개번호	10-1997-0004194 (1997-01-29)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019950019652
발명자 / 주소	강종구 / 경기도이천군이천읍창전리*- 강명구 / 경기도이천군부발읍아미리산**- 한상국 / 경기도성남시분당구서현동시범삼성아파트*동호 최보현 / 경기도이천군부발읍아미리산*- 신영근 / 경기도성남시분당구이매동*번지한신아파트동**호
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	이후동; 이정훈 (Lee, Hoo Dong) 서울 강남구 역삼동 - 한국타이어빌딩 층(태평양특허법률사무소); 서울 강남구 역삼동 - 한국타이어빌딩-층(특허법인태평양)
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록 ▼

본 발명은 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 화합물 반도체기판상에 감광막패턴으로 식각마스크를 형성하고, 상기 식각마스크에 의해 노출되어 있는 반도체기판 HBr : HNO3 : H2O이 일정 비율로 혼합된 식각용액을 사용하여 식각하여 서브 마이크로 이하의 일정 주기를 갖고 부드러운 굴곡면을 갖는 회절격자를 형성한 후, 상기 회절격자상에 광도파층과 활성층 및 클레드층을 순차적으로 성장시켜 DFB-LD를 형성하였으므로 식각의 효율 및 안정성이 향상되고, 회절격자의 재현성이 우수하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을

대표청구항

제1도전형의 화합물 반도체기판상에 소정 주기를 갖는 감광막패턴을 식각마스크로하여 상기 반도체기판의 표면을 HBr : HNO3 : H2O 혼합 식각용액으로 식각하여 회절격자를 형성하는 공정과, 상기 회절격자 상에 제1도전형의 광가이드층을 형성하는 공정과, 상기 광가이드층 상에 진성 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층상에 제2도전형의 클레드층을 형성하는 공정을 구비하는 분포 귀환형 레이저 다이오드의 제조방법.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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