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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1995-0025650 (1995-08-21) |
| 공개번호 | 10-1997-0013216 (1997-03-29) |
| 등록번호 | 10-0170912-0000 (1998-10-16) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019950025650 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1995-08-21) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 하부구조물이 형성된 반도체기판 상부를 평탄화시키는 절연막을 형상하고 금속배선 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 매립하는 알루미늄박막을 형성하고 상기 알루미늄박막 상부에 반사방지막을 형성한 다음, 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반사방지막과 알루미늄박막을 식각하고 상기 반사방지막과 알루미늄박막의 식각면에 타타늄막을 형성한 다음, 전체표면상부를 평탄화시키는 평탄화층을 형성하되, 상기 알루미늄박막과 티타늄막의 경계부에 석출물을 형성함으로
반도체 기판 상부에 하부구조물을 형성하고 전체표면상부를 평탄화시키는 절연막을 형성한 다음, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 매립하며 형성되는 반도체소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 콘택홀을 매립하는 알루미늄박막을 전체표면상부에 형성하는 공정과, 상기 알루미늄박막 상부에 반사방지막을 형성하는 공정과, 금속배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반사방지막과 알루미늄박막을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 전체표면상부에 티타늄막을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 티타늄막을 일정두께 전면식각하여 상기
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