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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0034943 (1995-10-11) |
공개번호 | 10-1997-0023983 (1997-05-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950034943 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써 버즈빅(Bird's Beak)을 최소화할 수 있는 소자분리 방법이 포함되어 있다.본 발명은 실리콘 부분산화법 또는 SEPOX법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써, 상기 제2폴리실리콘막의 효과로 필드산화막 형성시 질화막과 실리콘 기판과의 접착을 증가시키는 효과가 있을뿐 아니라, 상기 제2폴리실리콘막이 H2O의 확산을 효율적으로 제어할
실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEFOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에 있어서, 반도체기판상에 패드산화막, 제1폴리실리콘막, 질화막을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 질화막과 상기 제1폴리실리콘막을 사진 및 식각공정에 의해 식각하여 활성영역, 질화막 패턴 및 제1폴리실리콘막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 결과물의 전면에 제2폴리실리콘막을 침적시키는 단계; 상기 결과물을 산화하여 필드산화막을 형성시키는 단계; 상기 질화막위에 형성된 필드산화막, 질화막 및 제1폴리실리콘막을 순차적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징
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