[특허]반도체 장치의 소자 분리 방법

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반도체 장치의 소자 분리 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/76
출원번호	10-1995-0034943 (1995-10-11)
공개번호	10-1997-0023983 (1997-05-30)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019950034943
발명자 / 주소	박찬식 / 경기도수원시팔달구원천동원천주공아파트*동호 조경환 / 경기도수원시팔달구매탄동구매탄아파트동호 유세형 / 경기도용인군기흥읍구갈리한양아파트동*호 최상국 / 경기도수원시팔달구매탄동*-
출원인 / 주소	삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록 ▼

실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEPOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써 버즈빅(Bird's Beak)을 최소화할 수 있는 소자분리 방법이 포함되어 있다.본 발명은 실리콘 부분산화법 또는 SEPOX법에서, 필드산화막 형성 전단계인 활성영역 형성후 제2폴리실리콘막을 침적함으로써, 상기 제2폴리실리콘막의 효과로 필드산화막 형성시 질화막과 실리콘 기판과의 접착을 증가시키는 효과가 있을뿐 아니라, 상기 제2폴리실리콘막이 H2O의 확산을 효율적으로 제어할 수 있다.따라서 산화된 제2폴리실리콘은 질화막을 고정시키는 효과를 갖게 되므로 버즈빅을 감소시킬수 있으며, 또한 실리콘기판에서 필드산화막 형성에 필요한 H2O의 확산경로를 가운데 부분에 비해 버즈빅이 생성될 부분을 길게 함으로써, 버즈빅이 생성될 부분에서의 산화를 억제할 수 있다.

대표청구항 ▼

실리콘 부분산화법(LOCOS) 또는 SEFOX법을 이용한 반도체장치의 소자분리 방법에 있어서, 반도체기판상에 패드산화막, 제1폴리실리콘막, 질화막을 순차적으로 형성시키는 단계; 상기 질화막과 상기 제1폴리실리콘막을 사진 및 식각공정에 의해 식각하여 활성영역, 질화막 패턴 및 제1폴리실리콘막 패턴을 형성시키는 단계; 상기 결과물의 전면에 제2폴리실리콘막을 침적시키는 단계; 상기 결과물을 산화하여 필드산화막을 형성시키는 단계; 상기 질화막위에 형성된 필드산화막, 질화막 및 제1폴리실리콘막을 순차적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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