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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1995-0065780 (1995-12-29) |
공개번호 | 10-1997-0052748 (1997-07-29) |
등록번호 | 10-0161111-0000 (1998-08-21) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019950065780 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1995-12-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 Cu 막을 플라즈마를 이용하여 건식식각하는 방법으로써, 산화성 분위기에서 식각하는 것을 특징으로 하는데, 1) 반도체 기판에 형성된 Cu 막을 산화성가스를 포함하는 식각가스로 식각하는 단계와, 2) 환원성가스로 1)단계에서 산화된 Cu 막 패턴 표면의 산화막을 환원하는 단계를 포함하여 이루어진다.
산화성분위기에서 플라즈마를 이용하여 건식식각하는 것을 특징으로 반도체 집적회로 제조공정의 Cu 막 식각방법.
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